BFG25AW . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFG25AW
Código: N6
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 8 V
Tensión colector-emisor (Vce): 5 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.0065 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 5000 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: SOT343N
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BFG25AW
BFG25AW Datasheet (PDF)
bfg25aw x.pdf
DATA SHEETdbook, halfpageM3D123BFG25AW; BFG25AW/XNPN 5 GHz wideband transistorsProduct specification 1998 Sep 23Supersedes data of August 1995NXP Semiconductors Product specificationBFG25AW;NPN 5 GHz wideband transistorsBFG25AW/XFEATURES PINNING Low current consumption PIN DESCRIPTIONlfpage4 3(100 Ato1mA)BFG25AW Low noise figure1 collector G
bfg25aw bfg25awx 3.pdf
DATA SHEETbook, halfpageM3D123BFG25AW; BFG25AW/XNPN 5 GHz wideband transistors1998 Sep 23Product specificationSupersedes data of August 1995Philips Semiconductors Product specificationNPN 5 GHz wideband transistors BFG25AW; BFG25AW/XFEATURES PINNING Low current consumptionPIN DESCRIPTIONfpage4 3(100 A to 1 mA)BFG25AW Low noise figure1 collector
bfg25ax.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG25A/XNPN 5 GHz wideband transistor1997 Oct 29Product specificationSupersedes data of September 1995File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 5 GHz wideband transistor BFG25A/XFEATURES DESCRIPTION Low current consumption NPN silicon wideband transistor in a(100 A to 1 mA) four-lead dua
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: D40E7 | BD647 | 2N2618-46 | BD595
History: D40E7 | BD647 | 2N2618-46 | BD595
Liste
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