PBSS5250X Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PBSS5250X  📄📄 

Código: *1L

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.55 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 35 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT89

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de PBSS5250X

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PBSS5250X datasheet

 ..1. Size:147K  philips
 pbss5250x.pdf pdf_icon

PBSS5250X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D109 PBSS5250X 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Nov 04 Supersedes data of 2003 Jun 17 NXP Semiconductors Product data sheet 50 V, 2 A PBSS5250X PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) package SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat

 ..2. Size:147K  nxp
 pbss5250x.pdf pdf_icon

PBSS5250X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D109 PBSS5250X 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Nov 04 Supersedes data of 2003 Jun 17 NXP Semiconductors Product data sheet 50 V, 2 A PBSS5250X PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) package SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat

 6.1. Size:43K  nxp
 pbss5250t.pdf pdf_icon

PBSS5250X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ge M3D088 PBSS5250T 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product specification 2003 Oct 09 Philips Semiconductors Product specification 50 V, 2 A PBSS5250T PNP low VCEsat (BISS) transistor QUICK REFERENCE DATA FEATURES SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter saturation voltage VCEsat VCEO collector-emitter voltage -50 V

 6.2. Size:242K  nxp
 pbss5250th.pdf pdf_icon

PBSS5250X

PBSS5250TH 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 9 August 2017 Product data sheet 1. General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM High collec

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... PBSS5160V, PBSS5220T, PBSS5220V, PBSS5230T, PBSS5240T, PBSS5240V, PBSS5240Y, PBSS5250T, 2SC945, PBSS5320D, PBSS5320T, PBSS5320X, PBSS5330PA, PBSS5330X, PBSS5350D, PBSS5350SS, PBSS5350T