PBSS5250X - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PBSS5250X
Маркировка: *1L
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для PBSS5250X
PBSS5250X - технические параметры
pbss5250x.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D109 PBSS5250X 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Nov 04 Supersedes data of 2003 Jun 17 NXP Semiconductors Product data sheet 50 V, 2 A PBSS5250X PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) package SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat
pbss5250x.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D109 PBSS5250X 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Nov 04 Supersedes data of 2003 Jun 17 NXP Semiconductors Product data sheet 50 V, 2 A PBSS5250X PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) package SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat
pbss5250t.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ge M3D088 PBSS5250T 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product specification 2003 Oct 09 Philips Semiconductors Product specification 50 V, 2 A PBSS5250T PNP low VCEsat (BISS) transistor QUICK REFERENCE DATA FEATURES SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter saturation voltage VCEsat VCEO collector-emitter voltage -50 V
pbss5250th.pdf
PBSS5250TH 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 9 August 2017 Product data sheet 1. General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM High collec
Другие транзисторы... PBSS5160V , PBSS5220T , PBSS5220V , PBSS5230T , PBSS5240T , PBSS5240V , PBSS5240Y , PBSS5250T , 2SC945 , PBSS5320D , PBSS5320T , PBSS5320X , PBSS5330PA , PBSS5330X , PBSS5350D , PBSS5350SS , PBSS5350T .
History: UN111H
History: UN111H
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc897 | 2sa818 | 2sa763 | a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026






