PBSS5250X - описание и поиск аналогов

 

PBSS5250X - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PBSS5250X
   Маркировка: *1L
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для PBSS5250X

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS5250X - технические параметры

 ..1. Size:147K  philips
pbss5250x.pdfpdf_icon

PBSS5250X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D109 PBSS5250X 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Nov 04 Supersedes data of 2003 Jun 17 NXP Semiconductors Product data sheet 50 V, 2 A PBSS5250X PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) package SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat

 ..2. Size:147K  nxp
pbss5250x.pdfpdf_icon

PBSS5250X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D109 PBSS5250X 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Nov 04 Supersedes data of 2003 Jun 17 NXP Semiconductors Product data sheet 50 V, 2 A PBSS5250X PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) package SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat

 6.1. Size:43K  nxp
pbss5250t.pdfpdf_icon

PBSS5250X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ge M3D088 PBSS5250T 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product specification 2003 Oct 09 Philips Semiconductors Product specification 50 V, 2 A PBSS5250T PNP low VCEsat (BISS) transistor QUICK REFERENCE DATA FEATURES SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter saturation voltage VCEsat VCEO collector-emitter voltage -50 V

 6.2. Size:242K  nxp
pbss5250th.pdfpdf_icon

PBSS5250X

PBSS5250TH 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 9 August 2017 Product data sheet 1. General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM High collec

Другие транзисторы... PBSS5160V , PBSS5220T , PBSS5220V , PBSS5230T , PBSS5240T , PBSS5240V , PBSS5240Y , PBSS5250T , 2SC945 , PBSS5320D , PBSS5320T , PBSS5320X , PBSS5330PA , PBSS5330X , PBSS5350D , PBSS5350SS , PBSS5350T .

History: UN111H

 

 
Back to Top

 


 
.