PBSS5250X datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS5250X  📄📄 

Маркировка: *1L

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS5250X

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS5250X даташит

 ..1. Size:147K  philips
 pbss5250x.pdf pdf_icon

PBSS5250X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D109 PBSS5250X 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Nov 04 Supersedes data of 2003 Jun 17 NXP Semiconductors Product data sheet 50 V, 2 A PBSS5250X PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) package SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat

 ..2. Size:147K  nxp
 pbss5250x.pdf pdf_icon

PBSS5250X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D109 PBSS5250X 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Nov 04 Supersedes data of 2003 Jun 17 NXP Semiconductors Product data sheet 50 V, 2 A PBSS5250X PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) package SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat

 6.1. Size:43K  nxp
 pbss5250t.pdf pdf_icon

PBSS5250X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ge M3D088 PBSS5250T 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product specification 2003 Oct 09 Philips Semiconductors Product specification 50 V, 2 A PBSS5250T PNP low VCEsat (BISS) transistor QUICK REFERENCE DATA FEATURES SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter saturation voltage VCEsat VCEO collector-emitter voltage -50 V

 6.2. Size:242K  nxp
 pbss5250th.pdf pdf_icon

PBSS5250X

PBSS5250TH 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 9 August 2017 Product data sheet 1. General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM High collec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS5160V, PBSS5220T, PBSS5220V, PBSS5230T, PBSS5240T, PBSS5240V, PBSS5240Y, PBSS5250T, 2SC945, PBSS5320D, PBSS5320T, PBSS5320X, PBSS5330PA, PBSS5330X, PBSS5350D, PBSS5350SS, PBSS5350T