Справочник транзисторов. PBSS5250X

 

Биполярный транзистор PBSS5250X - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: PBSS5250X
   Маркировка: *1L
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для PBSS5250X

 

 

PBSS5250X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  philips
pbss5250x.pdf

PBSS5250X
PBSS5250X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D109PBSS5250X50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Nov 04Supersedes data of 2003 Jun 17NXP Semiconductors Product data sheet50 V, 2 A PBSS5250XPNP low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) packageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat

 ..2. Size:147K  nxp
pbss5250x.pdf

PBSS5250X
PBSS5250X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D109PBSS5250X50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Nov 04Supersedes data of 2003 Jun 17NXP Semiconductors Product data sheet50 V, 2 A PBSS5250XPNP low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) packageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat

 6.1. Size:43K  nxp
pbss5250t.pdf

PBSS5250X
PBSS5250X

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETgeM3D088PBSS5250T50 V, 2 APNP low VCEsat (BISS) transistorProduct specification 2003 Oct 09Philips Semiconductors Product specification50 V, 2 APBSS5250TPNP low VCEsat (BISS) transistorQUICK REFERENCE DATAFEATURESSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter saturation voltage VCEsatVCEO collector-emitter voltage -50 V

 6.2. Size:242K  nxp
pbss5250th.pdf

PBSS5250X
PBSS5250X

PBSS5250TH50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor9 August 2017 Product data sheet1. General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.2. Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability: IC and ICM High collec

 7.1. Size:725K  nxp
pbss5255paps.pdf

PBSS5250X
PBSS5250X

PBSS5255PAPS55V, 2A PNP/PNP low VCEsat (BISS) double transistor11 December 2015 Product data sheet1. General descriptionPNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) double transistor in a leadlessmedium power DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage with visible and solderable side pads.2. Features and benefits Very low collector-emitter sat

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top