PBSS5320X Todos los transistores

 

PBSS5320X . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PBSS5320X
   Código: S45
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.55 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 220
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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PBSS5320X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  philips
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PBSS5320X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D109PBSS5320X20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Nov 04Supersedes data of 2003 Nov 27NXP Semiconductors Product data sheet20 V, 3 A PBSS5320XPNP low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) packageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat

 ..2. Size:256K  nxp
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PBSS5320X

PBSS5320X20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor27 May 2019 Product data sheet1. General descriptionPNP low VCEsat transistor in a medium power flat lead SOT89 plastic package.NPN complement: PBSS4320X2. Features and benefits SOT89 (SC-62) package Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability: IC and ICM Higher efficiency le

 6.1. Size:171K  philips
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PBSS5320X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPBSS5320T20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Jan 15Supersedes data of 2002 Aug 08NXP Semiconductors Product data sheet20 V, 3 A PBSS5320TPNP low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and SYMBOL PARAMETER MAX. UNITcorresponding low RCEsa

 6.2. Size:125K  philips
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PBSS5320X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETfpageMBD128PBSS5320D20 V low VCEsat PNP transistorProduct data sheet 2002 Jun 12NXP Semiconductors Product data sheet20 V low VCEsat PNP transistorPBSS5320DFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilityVCEO collector-emitter voltage -20 V Improved

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History: 2N4898X

 

 
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