Биполярный транзистор PBSS5320X Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBSS5320X
Маркировка: S45
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 220
Корпус транзистора: SOT89
Аналог (замена) для PBSS5320X
PBSS5320X Datasheet (PDF)
pbss5320x.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D109PBSS5320X20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Nov 04Supersedes data of 2003 Nov 27NXP Semiconductors Product data sheet20 V, 3 A PBSS5320XPNP low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) packageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat
pbss5320x.pdf

PBSS5320X20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor27 May 2019 Product data sheet1. General descriptionPNP low VCEsat transistor in a medium power flat lead SOT89 plastic package.NPN complement: PBSS4320X2. Features and benefits SOT89 (SC-62) package Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability: IC and ICM Higher efficiency le
pbss5320t.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPBSS5320T20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Jan 15Supersedes data of 2002 Aug 08NXP Semiconductors Product data sheet20 V, 3 A PBSS5320TPNP low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and SYMBOL PARAMETER MAX. UNITcorresponding low RCEsa
pbss5320d.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETfpageMBD128PBSS5320D20 V low VCEsat PNP transistorProduct data sheet 2002 Jun 12NXP Semiconductors Product data sheet20 V low VCEsat PNP transistorPBSS5320DFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilityVCEO collector-emitter voltage -20 V Improved
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: TIP645 | SUR540EF | MJE5170 | MJE5851G | BC135 | ASZ10
History: TIP645 | SUR540EF | MJE5170 | MJE5851G | BC135 | ASZ10



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent