Справочник транзисторов. PBSS5320X

 

Биполярный транзистор PBSS5320X Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS5320X
   Маркировка: S45
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 220
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для PBSS5320X

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS5320X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  philips
pbss5320x.pdfpdf_icon

PBSS5320X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D109PBSS5320X20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Nov 04Supersedes data of 2003 Nov 27NXP Semiconductors Product data sheet20 V, 3 A PBSS5320XPNP low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) packageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat

 ..2. Size:256K  nxp
pbss5320x.pdfpdf_icon

PBSS5320X

PBSS5320X20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor27 May 2019 Product data sheet1. General descriptionPNP low VCEsat transistor in a medium power flat lead SOT89 plastic package.NPN complement: PBSS4320X2. Features and benefits SOT89 (SC-62) package Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability: IC and ICM Higher efficiency le

 6.1. Size:171K  philips
pbss5320t.pdfpdf_icon

PBSS5320X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPBSS5320T20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Jan 15Supersedes data of 2002 Aug 08NXP Semiconductors Product data sheet20 V, 3 A PBSS5320TPNP low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and SYMBOL PARAMETER MAX. UNITcorresponding low RCEsa

 6.2. Size:125K  philips
pbss5320d.pdfpdf_icon

PBSS5320X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETfpageMBD128PBSS5320D20 V low VCEsat PNP transistorProduct data sheet 2002 Jun 12NXP Semiconductors Product data sheet20 V low VCEsat PNP transistorPBSS5320DFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilityVCEO collector-emitter voltage -20 V Improved

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: TIP645 | SUR540EF | MJE5170 | MJE5851G | BC135 | ASZ10

 

 
Back to Top

 


 
.