PBSS5320X datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS5320X  📄📄 

Маркировка: S45

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 220

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS5320X

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS5320X даташит

 ..1. Size:196K  philips
 pbss5320x.pdf pdf_icon

PBSS5320X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D109 PBSS5320X 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Nov 04 Supersedes data of 2003 Nov 27 NXP Semiconductors Product data sheet 20 V, 3 A PBSS5320X PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) package SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat

 ..2. Size:256K  nxp
 pbss5320x.pdf pdf_icon

PBSS5320X

PBSS5320X 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 27 May 2019 Product data sheet 1. General description PNP low VCEsat transistor in a medium power flat lead SOT89 plastic package. NPN complement PBSS4320X 2. Features and benefits SOT89 (SC-62) package Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM Higher efficiency le

 6.1. Size:171K  philips
 pbss5320t.pdf pdf_icon

PBSS5320X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PBSS5320T 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Jan 15 Supersedes data of 2002 Aug 08 NXP Semiconductors Product data sheet 20 V, 3 A PBSS5320T PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT corresponding low RCEsa

 6.2. Size:125K  philips
 pbss5320d.pdf pdf_icon

PBSS5320X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET fpage MBD128 PBSS5320D 20 V low VCEsat PNP transistor Product data sheet 2002 Jun 12 NXP Semiconductors Product data sheet 20 V low VCEsat PNP transistor PBSS5320D FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capability VCEO collector-emitter voltage -20 V Improved

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS5230T, PBSS5240T, PBSS5240V, PBSS5240Y, PBSS5250T, PBSS5250X, PBSS5320D, PBSS5320T, S9013, PBSS5330PA, PBSS5330X, PBSS5350D, PBSS5350SS, PBSS5350T, PBSS5350X, PBSS5350Z, PBSS5420D