PBSS5320X - описание и поиск аналогов

 

PBSS5320X - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PBSS5320X
   Маркировка: S45
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 220
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для PBSS5320X

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS5320X - технические параметры

 ..1. Size:196K  philips
pbss5320x.pdfpdf_icon

PBSS5320X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D109 PBSS5320X 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Nov 04 Supersedes data of 2003 Nov 27 NXP Semiconductors Product data sheet 20 V, 3 A PBSS5320X PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) package SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat

 ..2. Size:256K  nxp
pbss5320x.pdfpdf_icon

PBSS5320X

PBSS5320X 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 27 May 2019 Product data sheet 1. General description PNP low VCEsat transistor in a medium power flat lead SOT89 plastic package. NPN complement PBSS4320X 2. Features and benefits SOT89 (SC-62) package Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM Higher efficiency le

 6.1. Size:171K  philips
pbss5320t.pdfpdf_icon

PBSS5320X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PBSS5320T 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Jan 15 Supersedes data of 2002 Aug 08 NXP Semiconductors Product data sheet 20 V, 3 A PBSS5320T PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT corresponding low RCEsa

 6.2. Size:125K  philips
pbss5320d.pdfpdf_icon

PBSS5320X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET fpage MBD128 PBSS5320D 20 V low VCEsat PNP transistor Product data sheet 2002 Jun 12 NXP Semiconductors Product data sheet 20 V low VCEsat PNP transistor PBSS5320D FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capability VCEO collector-emitter voltage -20 V Improved

Другие транзисторы... PBSS5230T , PBSS5240T , PBSS5240V , PBSS5240Y , PBSS5250T , PBSS5250X , PBSS5320D , PBSS5320T , S9013 , PBSS5330PA , PBSS5330X , PBSS5350D , PBSS5350SS , PBSS5350T , PBSS5350X , PBSS5350Z , PBSS5420D .

History: KMBT3906T | BC490L

 

 
Back to Top

 


 
.