PDTA124ET Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PDTA124ET 📄📄

Código: *05_p05_t05_W05

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: SOT23

📄📄 Copiar

Búsqueda de reemplazo de PDTA124ET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

PDTA124ET datasheet

..1. Size:56K motorola
pdta124et 5.pdf pdf_icon

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ok, halfpage M3D088 PDTA124ET PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA124ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design 3

..2. Size:56K philips
pdta124et 5.pdf pdf_icon

6.1. Size:58K motorola
pdta124es 2.pdf pdf_icon

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTA124ES PNP resistor-equipped transistor 1998 May 20 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 04 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA124ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) Simplification o

6.2. Size:57K motorola
pdta124ee 2.pdf pdf_icon

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA124EE PNP resistor-equipped transistor Product specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 04 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA124EE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) Simplification of circuit design