PDTA124ET datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTA124ET  📄📄 

Маркировка: *05_p05_t05_W05

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTA124ET

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA124ET даташит

 ..1. Size:56K  motorola
pdta124et 5.pdfpdf_icon

PDTA124ET

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ok, halfpage M3D088 PDTA124ET PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA124ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design 3

 ..2. Size:56K  philips
pdta124et 5.pdfpdf_icon

PDTA124ET

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ok, halfpage M3D088 PDTA124ET PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA124ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design 3

 6.1. Size:58K  motorola
pdta124es 2.pdfpdf_icon

PDTA124ET

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTA124ES PNP resistor-equipped transistor 1998 May 20 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 04 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA124ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) Simplification o

 6.2. Size:57K  motorola
pdta124ee 2.pdfpdf_icon

PDTA124ET

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA124EE PNP resistor-equipped transistor Product specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 04 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA124EE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) Simplification of circuit design

Другие транзисторы: PDTA123TT, PDTA123TU, PDTA123YE, PDTA123YM, PDTA123YT, PDTA123YU, PDTA124EE, PDTA124EM, 2SC1815, PDTA124EU, PDTA124TE, PDTA124TM, PDTA124TT, PDTA124TU, PDTA124XE, PDTA124XM, PDTA124XT