PDTA144EE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PDTA144EE 📄📄

Código: 7

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SOT416

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PDTA144EE datasheet

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA144EE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA144EE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) Simplification of circuit

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA144EEF PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA144EEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) Simplification of circuit design 3 handbook, halfpage 3 R1 Reduces number of components

0.2. Size:54K philips
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