PDTA144EE datasheet, аналоги, параметры транзистора

PDTA144EE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTA144EE 📄📄

Маркировка: 7

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT416

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для PDTA144EE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

PDTA144EE даташит

..1. Size:57K motorola
pdta144ee 2.pdf pdf_icon

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA144EE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA144EE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) Simplification of circuit

..2. Size:57K philips
pdta144ee 2.pdf pdf_icon

0.1. Size:54K motorola
pdta144eef 1.pdf pdf_icon

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA144EEF PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA144EEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) Simplification of circuit design 3 handbook, halfpage 3 R1 Reduces number of components

0.2. Size:54K philips
pdta144eef 1.pdf pdf_icon