PDTB113ET Todos los transistores

 

PDTB113ET . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDTB113ET
   Código: *7U_-7U_p7U_t7U_W7U
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 1 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 11 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 33
   Paquete / Cubierta: SOT23

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PDTB113ET Datasheet (PDF)

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