2N5646 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5646
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 450 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 40 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO128
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2N5646 datasheet
2n5640.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N5640/D JFETs Switching N Channel Depletion 2N5640 1 DRAIN 3 1 GATE 2 3 2 SOURCE CASE 29 04, STYLE 5 TO 92 (TO 226AA) Rating Symbol Value Unit Drain Source Voltage VDS 30 Vdc Drain Gate Voltage VDG 30 Vdc Reverse Gate Source Voltage VGSR 30 Vdc Forward Gate Current IGF 10 mAdc Total Device Dissip
2n5643.pdf
2N5643 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE .380 4L STUD The ASI 2N5643 is Designed for .112x45 A wideband large-signal amplifier stages in the 125 175 MHz range. C B E E FEATURES C B Minimum Gain = 7.6 dB Output Power = 40 W I D H Omnigold Metalization System J G #8-32 UNC-2A F MAXIMUM RATINGS E IC 5.0
Otros transistores... 2N5636 , 2N5637 , 2N564 , 2N5641 , 2N5642 , 2N5643 , 2N5644 , 2N5645 , TIP127 , 2N565 , 2N5650 , 2N5651 , 2N5652 , 2N5655 , 2N5656 , 2N5657 , 2N5658 .
History: BC858BLT1 | 2N5892 | 2SB1203T
History: BC858BLT1 | 2N5892 | 2SB1203T
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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