2N5646 - описание и поиск аналогов

 

2N5646. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5646

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для 2N5646

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5646 даташит

 9.1. Size:126K  motorola
 2n5640.pdf pdf_icon

2N5646

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N5640/D JFETs Switching N Channel Depletion 2N5640 1 DRAIN 3 1 GATE 2 3 2 SOURCE CASE 29 04, STYLE 5 TO 92 (TO 226AA) Rating Symbol Value Unit Drain Source Voltage VDS 30 Vdc Drain Gate Voltage VDG 30 Vdc Reverse Gate Source Voltage VGSR 30 Vdc Forward Gate Current IGF 10 mAdc Total Device Dissip

 9.2. Size:14K  advanced-semi
 2n5643.pdf pdf_icon

2N5646

2N5643 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE .380 4L STUD The ASI 2N5643 is Designed for .112x45 A wideband large-signal amplifier stages in the 125 175 MHz range. C B E E FEATURES C B Minimum Gain = 7.6 dB Output Power = 40 W I D H Omnigold Metalization System J G #8-32 UNC-2A F MAXIMUM RATINGS E IC 5.0

 9.3. Size:182K  ssm
 2n5641 2n5642 2n5643.pdf pdf_icon

2N5646

Другие транзисторы: 2N5636, 2N5637, 2N564, 2N5641, 2N5642, 2N5643, 2N5644, 2N5645, TIP127, 2N565, 2N5650, 2N5651, 2N5652, 2N5655, 2N5656, 2N5657, 2N5658

 

 

 

 

↑ Back to Top
.