PEMD30 Todos los transistores

 

PEMD30 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PEMD30
   Código: 2U
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SOT666
 

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PEMD30 Datasheet (PDF)

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PEMD30

PEMD30; PUMD30NPN/PNP double resistor-equipped transistors;R1 = 2.2 k, R2 = openRev. 01 31 March 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD)plastic packages.Table 1. Product overviewType number Package PNP/PNP NPN/NPNcomplement complementPhilips JEITAPEMD30 SOT66

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PEMD30

PEMD3; PIMD3; PUMD3NPN/PNP resistor-equipped transistors;R1 = 10 k, R2 = 10 kRev. 10 15 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/PNP Resistor-Equipped Transistors (RET).Table 1. Product overviewType number Package PNP/PNP NPN/NPN complement complementNXP JEITAPEMD3 SOT666 - PEMB11 PEMH11PIMD3 SOT457 SC-74 - -PUMD3 SOT363 SC-8

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PEMD30

PEMD3; PIMD3; PUMD3NPN/PNP resistor-equipped transistors;R1 = 10 k, R2 = 10 kRev. 11 25 September 2013 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.Table 1. Product overviewType number Package PNP/PNP NPN/NPN Package complement complement configurationNexper

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