PEMD30 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PEMD30  📄📄 

Código: 2U

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: SOT666

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PEMD30 datasheet

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PEMD30

PEMD30; PUMD30 NPN/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = open Rev. 01 31 March 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package PNP/PNP NPN/NPN complement complement Philips JEITA PEMD30 SOT66

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PEMD30

PEMD3; PIMD3; PUMD3 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k , R2 = 10 k Rev. 10 15 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/PNP Resistor-Equipped Transistors (RET). Table 1. Product overview Type number Package PNP/PNP NPN/NPN complement complement NXP JEITA PEMD3 SOT666 - PEMB11 PEMH11 PIMD3 SOT457 SC-74 - - PUMD3 SOT363 SC-8

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PEMD30

PEMD3; PIMD3; PUMD3 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k , R2 = 10 k Rev. 11 25 September 2013 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package PNP/PNP NPN/NPN Package complement complement configuration Nexper

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