PEMD9 Todos los transistores

 

PEMD9 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PEMD9
   Código: D9
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT666
 

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PEMD9 Datasheet (PDF)

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PEMD9

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMD9; PUMD9NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2004 Apr 15Supersedes data of 2003 Nov 04 NXP Semiconductors Product data sheetNPN/PNP resistor-equipped transistors; PEMD9; PUMD9R1 = 10 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UN

 ..2. Size:1058K  nxp
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PEMD9

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

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History: ASY73RT | PDTC114EU | NB212X | AT208 | MJE2901 | NB212ZH | MJE243G

 

 
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