PUMB3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PUMB3
Código: B5*
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: SOT363
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PUMB3 Datasheet (PDF)
pumb3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETdbook, halfpageMBD128PUMB3PNP resistor-equipped doubletransistor; R1 = 4.7 kProduct specification 2001 Sep 19Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped double transistor; R1 = 4.7 k PUMB3FEATURES QUICK REFERENCE DATA Transistors with built-in bias resistor R1 (typ. 4.7 k)SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT
pemb30 pumb30.pdf
PEMB30; PUMB30PNP/PNP double resistor-equipped transistors;R1 = 2.2 k, R2 = openRev. 02 2 September 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD)plastic packagesTable 1. Product overviewType number Package NPN/PNP NPN/NPNcomplement complementNXP JEITAPEMB30 SOT666
Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
