PUMB3 Todos los transistores

 

PUMB3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PUMB3
   Código: B5*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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PUMB3 datasheet

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PUMB3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage MBD128 PUMB3 PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 4.7 k Product specification 2001 Sep 19 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 4.7 k PUMB3 FEATURES QUICK REFERENCE DATA Transistors with built-in bias resistor R1 (typ. 4.7 k ) SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT

 0.1. Size:69K  philips
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PUMB3

PEMB30; PUMB30 PNP/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = open Rev. 02 2 September 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages Table 1. Product overview Type number Package NPN/PNP NPN/NPN complement complement NXP JEITA PEMB30 SOT666

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