PUMD6 Todos los transistores

 

PUMD6 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PUMD6
   Código: D*6
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT363

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PUMD6 Datasheet (PDF)

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pumd6 2.pdf

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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETndbook, halfpageMBD128PUMD6NPN/PNP resistor-equippedtransistor1999 May 28Product specificationSupersedes data of 1997 Dec 15Philips Semiconductors Product specificationNPN/PNP resistor-equipped transistor PUMD6FEATURES Transistors with different polarity, each with a built-inbias resistor R1 (typ. 4.7 k)6 5 4handbook, halfp

 ..2. Size:272K  philips
pemd6 pumd6.pdf

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMD6; PUMD6NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = openProduct data sheet 2004 Apr 07Supersedes data of 2003 Nov 04NXP Semiconductors Product data sheetNPN/PNP resistor-equipped transistors; PEMD6; PUMD6R1 = 4.7 k, R2 = openFEATURES DESCRIPTION Built-in bias resistors NPN/PNP resistor-equipped transistors (see

 ..3. Size:963K  kexin
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SMD Type TransistorsNPN/PNP Resistor-Equipped TransistorsPUMD6 SOT323-6 (SOT363) Features4 Built-in bias resistors Simplified circuit design5 Reduction of component count 3 Reduced pick and place costs.1.Emitter NPN26 2.Base NPN3.Collector PNP 4.Emitter PNP1PNP34 5.Base PNPTop view6.Collector NPNR1R15 261NPN Absolute

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
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