PUMD6 Todos los transistores

 

PUMD6 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PUMD6
   Código: D*6
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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PUMD6 datasheet

 ..1. Size:58K  philips
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PUMD6

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ndbook, halfpage MBD128 PUMD6 NPN/PNP resistor-equipped transistor 1999 May 28 Product specification Supersedes data of 1997 Dec 15 Philips Semiconductors Product specification NPN/PNP resistor-equipped transistor PUMD6 FEATURES Transistors with different polarity, each with a built-in bias resistor R1 (typ. 4.7 k ) 6 5 4 handbook, halfp

 ..2. Size:272K  philips
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PUMD6

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMD6; PUMD6 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k , R2 = open Product data sheet 2004 Apr 07 Supersedes data of 2003 Nov 04 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/PNP resistor-equipped transistors; PEMD6; PUMD6 R1 = 4.7 k , R2 = open FEATURES DESCRIPTION Built-in bias resistors NPN/PNP resistor-equipped transistors (see

 ..3. Size:963K  kexin
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PUMD6

SMD Type Transistors NPN/PNP Resistor-Equipped Transistors PUMD6 SOT323-6 (SOT363) Features 4 Built-in bias resistors Simplified circuit design 5 Reduction of component count 3 Reduced pick and place costs. 1.Emitter NPN 2 6 2.Base NPN 3.Collector PNP 4.Emitter PNP 1 PNP 3 4 5.Base PNP Top view 6.Collector NPN R1 R1 5 2 6 1 NPN Absolute

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History: 2N3343 | 2SA1955FV | 2N3342 | 2N341A

 

 

 


 
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