PUMD6 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PUMD6
Código: D*6
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: SOT363
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PUMD6 Datasheet (PDF)
pumd6 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETndbook, halfpageMBD128PUMD6NPN/PNP resistor-equippedtransistor1999 May 28Product specificationSupersedes data of 1997 Dec 15Philips Semiconductors Product specificationNPN/PNP resistor-equipped transistor PUMD6FEATURES Transistors with different polarity, each with a built-inbias resistor R1 (typ. 4.7 k)6 5 4handbook, halfp
pemd6 pumd6.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMD6; PUMD6NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = openProduct data sheet 2004 Apr 07Supersedes data of 2003 Nov 04NXP Semiconductors Product data sheetNPN/PNP resistor-equipped transistors; PEMD6; PUMD6R1 = 4.7 k, R2 = openFEATURES DESCRIPTION Built-in bias resistors NPN/PNP resistor-equipped transistors (see
pumd6.pdf
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