PUMF11 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PUMF11  📄📄 

Código: R1*

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.47

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SOT363

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PUMF11 datasheet

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PUMF11

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage MBD128 PUMF11 NPN resistor-equipped transistor; PNP general purpose transistor Product data sheet 2002 Apr 09 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistor; PNP PUMF11 general purpose transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Resistor-equipped transistor and general purpose SYMBOL PARAMETER MAX. U

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PUMF11

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage MBD128 PUMF12 PNP general purpose transistor; NPN resistor-equipped transistor Product data sheet 2002 Nov 07 NXP Semiconductors Product data sheet PNP general purpose transistor; NPN PUMF12 resistor-equipped transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA General purpose transistor and resistor equipped SYMBOL PARAMETER MAX. U

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