PUMF12 Todos los transistores

 

PUMF12 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PUMF12
   Código: R2*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.47

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SOT363
     - Selección de transistores por parámetros

 

PUMF12 Datasheet (PDF)

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PUMF12

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageMBD128PUMF12PNP general purpose transistor; NPN resistor-equipped transistorProduct data sheet 2002 Nov 07NXP Semiconductors Product data sheetPNP general purpose transistor; NPN PUMF12resistor-equipped transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA General purpose transistor and resistor equipped SYMBOL PARAMETER MAX. U

 9.1. Size:267K  nxp
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PUMF12

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageMBD128PUMF11NPN resistor-equipped transistor; PNP general purpose transistorProduct data sheet 2002 Apr 09NXP Semiconductors Product data sheetNPN resistor-equipped transistor; PNP PUMF11general purpose transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Resistor-equipped transistor and general purpose SYMBOL PARAMETER MAX. U

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History: 2SA795A | 2SA1706T-AN | 2SA815 | 3DG2413K | BC848CW-G | RT3YB7M

 

 
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