Справочник транзисторов. PUMF12

 

Биполярный транзистор PUMF12 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: PUMF12
   Маркировка: R2*
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для PUMF12

 

 

PUMF12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  nxp
pumf12.pdf

PUMF12
PUMF12

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageMBD128PUMF12PNP general purpose transistor; NPN resistor-equipped transistorProduct data sheet 2002 Nov 07NXP Semiconductors Product data sheetPNP general purpose transistor; NPN PUMF12resistor-equipped transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA General purpose transistor and resistor equipped SYMBOL PARAMETER MAX. U

 9.1. Size:267K  nxp
pumf11.pdf

PUMF12
PUMF12

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageMBD128PUMF11NPN resistor-equipped transistor; PNP general purpose transistorProduct data sheet 2002 Apr 09NXP Semiconductors Product data sheetNPN resistor-equipped transistor; PNP PUMF11general purpose transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Resistor-equipped transistor and general purpose SYMBOL PARAMETER MAX. U

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: PZT2907A

 

 
Back to Top