PUMH15 Todos los transistores

 

PUMH15 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PUMH15
   Código: H2*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 4.7 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 230 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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PUMH15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:612K  nxp
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PUMH15

PEMH15; PUMH15NPN/NPN resistor-equipped transistors;R1 = 4.7 k, R2 = 4.7 kRev. 5 16 December 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/NPN double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.Table 1. Product overviewType number Package NPN/PNP PNP/PNP Package complement complement configurationNXP

 9.1. Size:60K  philips
pumh10 1.pdf pdf_icon

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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETgeMBD128PUMH10NPN resistor-equipped transistorsProduct specification 2000 Aug 01Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistors PUMH10FEATURES Transistors with built-in bias resistors R1 and R2(typ. 2.2 and 47 k)6 5 4 No mutual interference between the transistors handbook, halfpage Reduces n

 9.2. Size:137K  philips
pemh10 pumh10.pdf pdf_icon

PUMH15

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH10; PUMH10NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2003 Oct 20Supersedes data of 2001 Oct 22NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH10; PUMH10R1 = 2.2 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX.

 9.3. Size:136K  philips
pemh1 pumh1.pdf pdf_icon

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH1; PUMH1NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 k, R2 = 22 kProduct data sheet 2003 Oct 08Supersedes data of 2001 Oct 22NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH1; PUMH1R1 = 22 k, R2 = 22 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

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