PUMH15 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PUMH15  📄📄 

Маркировка: H2*

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 230 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT363

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PUMH15

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PUMH15 даташит

 ..1. Size:612K  nxp
 pemh15 pumh15.pdf pdf_icon

PUMH15

PEMH15; PUMH15 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k , R2 = 4.7 k Rev. 5 16 December 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/NPN double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NPN/PNP PNP/PNP Package complement complement configuration NXP

 9.1. Size:60K  philips
 pumh10 1.pdf pdf_icon

PUMH15

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ge MBD128 PUMH10 NPN resistor-equipped transistors Product specification 2000 Aug 01 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistors PUMH10 FEATURES Transistors with built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 and 47 k ) 6 5 4 No mutual interference between the transistors handbook, halfpage Reduces n

 9.2. Size:137K  philips
 pemh10 pumh10.pdf pdf_icon

PUMH15

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMH10; PUMH10 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 47 k Product data sheet 2003 Oct 20 Supersedes data of 2001 Oct 22 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH10; PUMH10 R1 = 2.2 k , R2 = 47 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX.

 9.3. Size:136K  philips
 pemh1 pumh1.pdf pdf_icon

PUMH15

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMH1; PUMH1 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 k , R2 = 22 k Product data sheet 2003 Oct 08 Supersedes data of 2001 Oct 22 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH1; PUMH1 R1 = 22 k , R2 = 22 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PUMD9, PUMF11, PUMF12, PUMH1, PUMH10, PUMH11, PUMH13, PUMH14, 2SC4793, PUMH16, PUMH17, PUMH18, PUMH19, PUMH2, PUMH20, PUMH24, PUMH30