PUMH7 Todos los transistores

 

PUMH7 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PUMH7
   Código: H*7
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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PUMH7 Datasheet (PDF)

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PUMH7

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH7; PUMH7NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = openProduct data sheet 2003 Oct 02Supersedes data of 2001 Oct 22NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH7; PUMH7R1 = 4.7 k, R2 = openFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

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PUMH7

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETndbook, halfpageMBD128PUMH7NPN resistor-equipped doubletransistorProduct specification 1999 Apr 22Supersedes data of 1998 Jun 29Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped double transistor PUMH7FEATURES6 5 4handbook, halfpage Transistors with built-in biasresistor R1 (typ. 4.7 k)6 5 4 No mutual i

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PUMH7

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH7; PUMH7NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = openProduct data sheet 2003 Oct 02Supersedes data of 2001 Oct 22NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH7; PUMH7R1 = 4.7 k, R2 = openFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

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