PUMH9 Todos los transistores

 

PUMH9 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PUMH9
   Código: H*9
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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PUMH9 datasheet

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PUMH9

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PIMH9; PUMH9; PEMH9 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k , R2 = 47 k Product data sheet 2004 Apr 14 Supersedes data of 2003 Sep 15 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PIMH9; PUMH9; R1 = 10 k , R2 = 47 k PEMH9 FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER T

 ..2. Size:58K  philips
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PUMH9

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage MBD128 PUMH9 NPN resistor-equipped double transistor 1999 May 06 Product specification Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped double transistor PUMH9 FEATURES Transistors with built-in bias resistors (R1 typ. 10 k and R2 typ. 47 k ) No mutual interference between the transistors 6 5 4 han

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PUMH9

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PIMH9; PUMH9; PEMH9 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k , R2 = 47 k Product data sheet 2004 Apr 14 Supersedes data of 2003 Sep 15 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PIMH9; PUMH9; R1 = 10 k , R2 = 47 k PEMH9 FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER T

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