PUMH9 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PUMH9
   Código: H*9
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT363

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar PUMH9

PUMH9 Datasheet (PDF)

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPIMH9; PUMH9; PEMH9NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2004 Apr 14Supersedes data of 2003 Sep 15 NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PIMH9; PUMH9; R1 = 10 k, R2 = 47 k PEMH9FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER T

..2. Size:58K philips
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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageMBD128PUMH9NPN resistor-equipped doubletransistor1999 May 06Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped double transistor PUMH9FEATURES Transistors with built-in bias resistors (R1 typ. 10 kand R2 typ. 47 k) No mutual interference between the transistors6 5 4han

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