2STA2121 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2STA2121
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 220 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 17 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 25 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2STA2121
2STA2121 Datasheet (PDF)
2sta2121.pdf
2STA2121High power PNP epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = -250 V Complementary to 2STC5949 Typical ft = 25 MHz Fully characterized at 125 oCApplication Audio power amplifierTO-264DescriptionThe device is a PNP transistor manufactured Figure 1. Internal schematic diagramusing new BiT-LA (Bipolar transistor for linear amplifier) t
2sta2120.pdf
2STA2120High power PNP epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = -250 V Complementary to 2STC5948 Typical ft = 25 MHz Fully characterized at 125 oCApplication32 Audio power amplifier1TO-3PDescriptionThe device is a PNP transistor manufactured Figure 1. Internal schematic diagramusing new BiT-LA (Bipolar transistor fo
2sta2510.pdf
2STA2510High power PNP epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = -100 V Complementary to 2STC2510 Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC32Application1TO-3P Audio power amplifierDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe device is a PNP transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor fo
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History: BFU760F
History: BFU760F
Liste
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