2STA2510 Todos los transistores

 

2STA2510 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2STA2510
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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2STA2510 Datasheet (PDF)

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2STA2510

2STA2510High power PNP epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = -100 V Complementary to 2STC2510 Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC32Application1TO-3P Audio power amplifierDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe device is a PNP transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor fo

 9.1. Size:139K  st
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2STA2510

2STA2121High power PNP epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = -250 V Complementary to 2STC5949 Typical ft = 25 MHz Fully characterized at 125 oCApplication Audio power amplifierTO-264DescriptionThe device is a PNP transistor manufactured Figure 1. Internal schematic diagramusing new BiT-LA (Bipolar transistor for linear amplifier) t

 9.2. Size:152K  st
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2STA2510

2STA2120High power PNP epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = -250 V Complementary to 2STC5948 Typical ft = 25 MHz Fully characterized at 125 oCApplication32 Audio power amplifier1TO-3PDescriptionThe device is a PNP transistor manufactured Figure 1. Internal schematic diagramusing new BiT-LA (Bipolar transistor fo

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History: 2SC3486 | 2N915A

 

 
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