2STW1695 Todos los transistores

 

2STW1695 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2STW1695

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 140 V

Tensión colector-emisor (Vce): 140 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 20 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 225 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 70

Empaquetado / Estuche: TO247

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2STW1695

 

2STW1695 Datasheet (PDF)

1.1. 2stw1695.pdf Size:169K _st

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2STW1695 High power PNP epitaxial planar bipolar transistor Features High breakdown voltage VCEO = -140 V Complementary to 2STW4468 Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC Applications 3 2 Audio power amplifier 1 TO-247 Description The device is a PNP transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear Figure 1. Internal schematic diagram

3.1. 2stw1693.pdf Size:150K _st

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2STW1693 High power PNP epitaxial planar bipolar transistor Features High breakdown voltage VCEO = -80 V Complementary to 2STW4466 Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC Applications 3 2 Audio power amplifier 1 TO-247 Description The device is a PNP transistor manufactured in Figure 1. Internal schematic diagram low voltage planar technology using base island

 5.1. 2stw100 2stw200.pdf Size:110K _update

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2STW100 2STW200 Complementary power Darlington transistors Preliminary data Features ■ Complementary NPN - PNP transistors ■ Monolithic Darlington configuration Applications ■ Audio power amplifier ■ DC-AC converter 3 2 1 ■ Low voltage DC motor drive ■ General purpose switching applications TO-247 Description Figure 1. Internal schematic diagrams The devices are man

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