2STW4466 Todos los transistores

 

2STW4466 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2STW4466
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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2STW4466 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  st
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2STW4466

2STW4466High power NPN epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = 80 V Complementary to 2STW1693 Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oCApplications32 Audio power amplifier1TO-247DescriptionThe device is a NPN transistor manufactured in Figure 1. Internal schematic diagramlow voltage planar technology using

 7.1. Size:161K  st
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2STW4466

2STW4468High power NPN epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = 140 V Complementary to 2STW1695 Fast-switching speed Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC321ApplicationsTO-247 Audio power amplifierDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe device is a NPN transistor manufactured using new Bi

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History: KT626V

 

 
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