2STW4468 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2STW4468
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 150 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2STW4468
2STW4468 Datasheet (PDF)
2stw4468.pdf
2STW4468High power NPN epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = 140 V Complementary to 2STW1695 Fast-switching speed Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC321ApplicationsTO-247 Audio power amplifierDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe device is a NPN transistor manufactured using new Bi
2stw4466.pdf
2STW4466High power NPN epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = 80 V Complementary to 2STW1693 Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oCApplications32 Audio power amplifier1TO-247DescriptionThe device is a NPN transistor manufactured in Figure 1. Internal schematic diagramlow voltage planar technology using
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Liste
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