2N1169 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N1169

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 25 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO5

 Búsqueda de reemplazo de 2N1169

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2N1169 datasheet

 ..1. Size:289K  rca
 2n1169.pdf pdf_icon

2N1169

Otros transistores... 2N1164A, 2N1165, 2N1165A, 2N1166, 2N1166A, 2N1167, 2N1167A, 2N1168, 2N5551, 2N117, 2N1170, 2N1171, 2N1172, 2N1173, 2N1174, 2N1175, 2N1175A