2N1169. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1169

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N1169

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1169 даташит

 ..1. Size:289K  rca
 2n1169.pdf pdf_icon

2N1169

Другие транзисторы: 2N1164A, 2N1165, 2N1165A, 2N1166, 2N1166A, 2N1167, 2N1167A, 2N1168, 2N5551, 2N117, 2N1170, 2N1171, 2N1172, 2N1173, 2N1174, 2N1175, 2N1175A