2N5696 Todos los transistores

 

2N5696 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5696

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W

Tensión colector-base (Vcb): 140 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 60 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 110 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.2 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO3

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2N5696 datasheet

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History: 2SB969 | 2N1703 | 2N5691 | BDT29C | 2SA1537 | ZT3440 | 2SB968

 

 

 

 

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