Биполярный транзистор 2N5696 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2N5696
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 110 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам