HN2C01FU Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HN2C01FU

Código: L1G_L1Y

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: US6

 Búsqueda de reemplazo de HN2C01FU

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HN2C01FU datasheet

 ..1. Size:234K  toshiba
 hn2c01fu.pdf pdf_icon

HN2C01FU

HN2C01FU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN2C01FU Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE hFE = 120 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1mA) / (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2

 7.1. Size:183K  toshiba
 hn2c01fe.pdf pdf_icon

HN2C01FU

HN2C01FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN2C01FE Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE hFE = 120 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1mA) / (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 C

Otros transistores... HN1C03FU, HN1C05FE, HN1C07F, HN1C26FS, HN2A01FE, HN2A01FU, HN2A26FS, HN2C01FE, 2SD718, HN2C26FS, HN3A51F, HN3A56F, HN3B01F, HN3B02FU, HN3C51F, HN3C56FU, HN3C61FU