Справочник транзисторов. HN2C01FU

 

Биполярный транзистор HN2C01FU Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HN2C01FU
   Маркировка: L1G_L1Y
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: US6
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

HN2C01FU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  toshiba
 hn2c01fu.pdf pdf_icon

HN2C01FU

HN2C01FU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN2C01FU Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2

 7.1. Size:183K  toshiba
 hn2c01fe.pdf pdf_icon

HN2C01FU

HN2C01FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN2C01FE Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 C

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: CSC815G | 2N6208 | DTA023YEB | DXT2014P5 | 2SD874Q | BULB742C

 

 
Back to Top

 


 
.