Справочник транзисторов. HN2C01FU

 

Биполярный транзистор HN2C01FU Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HN2C01FU
   Маркировка: L1G_L1Y
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: US6
 

 Аналог (замена) для HN2C01FU

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN2C01FU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  toshiba
 hn2c01fu.pdf pdf_icon

HN2C01FU

HN2C01FU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN2C01FU Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2

 7.1. Size:183K  toshiba
 hn2c01fe.pdf pdf_icon

HN2C01FU

HN2C01FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN2C01FE Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 C

Другие транзисторы... HN1C03FU , HN1C05FE , HN1C07F , HN1C26FS , HN2A01FE , HN2A01FU , HN2A26FS , HN2C01FE , 2SC2073 , HN2C26FS , HN3A51F , HN3A56F , HN3B01F , HN3B02FU , HN3C51F , HN3C56FU , HN3C61FU .

History: KSH210

 

 
Back to Top

 


 
.