HN3A56F Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HN3A56F

Código: 49

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: SM6

 Búsqueda de reemplazo de HN3A56F

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HN3A56F datasheet

 ..1. Size:154K  toshiba
 hn3a56f.pdf pdf_icon

HN3A56F

HN3A56F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN3A56F Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current VCEO =-50V, IC = -150mA (max) High hFE hFE = 70 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = -0.1mA) / (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common)

 9.1. Size:227K  toshiba
 hn3a51f.pdf pdf_icon

HN3A56F

HN3A51F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN3A51F Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage VCEO = -120V High hFE hFE = 200 700 Excellent hFE linearity hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Low noise NF = 1dB(typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Sy

Otros transistores... HN1C26FS, HN2A01FE, HN2A01FU, HN2A26FS, HN2C01FE, HN2C01FU, HN2C26FS, HN3A51F, 2SC2073, HN3B01F, HN3B02FU, HN3C51F, HN3C56FU, HN3C61FU, HN3C67FE, HN4A06J, HN4A08J