HN3C67FE . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HN3C67FE
Código: 72
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: ES6
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HN3C67FE Datasheet (PDF)
hn3c67fe.pdf
HN3C67FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C67FE Unit: mmAudio Frequency Amplifier Applications AM Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
hn3c61fu.pdf
HN3C61FU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C61FU Unit: mmUltra High Speed Switching Application Computer, Counter Applications. High Transition Frequency : fT = 400MHz(Typ.) : VCE(sat) = 0.3V(Max.) Low Saturation Voltage High Speed Switching Time : tstg = 15ns(Typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symb
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