HN3C67FE Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HN3C67FE

Código: 72

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: ES6

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HN3C67FE datasheet

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HN3C67FE

HN3C67FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C67FE Unit mm Audio Frequency Amplifier Applications AM Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE hFE = 120 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1mA) / (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

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HN3C67FE

HN3C61FU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C61FU Unit mm Ultra High Speed Switching Application Computer, Counter Applications. High Transition Frequency fT = 400MHz(Typ.) VCE(sat) = 0.3V(Max.) Low Saturation Voltage High Speed Switching Time tstg = 15ns(Typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symb

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