HN4A08J Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HN4A08J

Código: 36

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 120 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 13 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SMV

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HN4A08J datasheet

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HN4A08J

HN4A08J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4A08J Low Frequency Power Amplifer Applications Unit mm Power Switching Application High DC Current Gain hFE = 100 320 Low Saturation Voltage VCE(sat)= -0.4V (Max.) (IC = -500mA , IB = -20mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base

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HN4A08J

HN4A06J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4A06J Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage VCEO = -120V High hFE hFE = 200 700 Excellent hFE linearity hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-ba

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