HN4A56JU Todos los transistores

 

HN4A56JU . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HN4A56JU
   Código: 37
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: USV

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HN4A56JU Datasheet (PDF)

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HN4A56JU HN4A56JU

HN4A56JU TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4A56JU Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small Package (Dual Type) High Voltage and High Current : VCEO= -50V, IC = -150mA(MAX.) High hFE Excellent hFE Linearity : hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common

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HN4A56JU HN4A56JU

HN4A51J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4A51J Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mm High voltage : VCEO = -120V High hFE : hFE = 200~700 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Low noise: NF = 1dB (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Sym

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History: KMBT5089 | KCW29 | 2SA1281

 

 
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