HN4B06J Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HN4B06J

Código: 45

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SMV

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HN4B06J datasheet

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HN4B06J

HN4B06J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4B06J Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1 High voltage VCEO = -120V High hFE hFE = 200 700 Excellent hFE linearity hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC =- 2mA) = 0.95 (typ.) Q2 High voltage VCEO = 120V High hFE hFE = 200 7

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HN4B06J

HN4B04J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4B04J Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Switching application Q1 Excellent hFE linearity hFE(2) =25 (Min.) at VCE = -6V IC = -400mA Q2 Excellent hFE linearity hFE(2) =25 (Min.) at VCE = 6V

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HN4B06J

HN4B01JE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4B01JE Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1 High voltage and high current VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE hFE = 120 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Q2 High voltage and

Otros transistores... HN3C61FU, HN3C67FE, HN4A06J, HN4A08J, HN4A51J, HN4A56JU, HN4B01JE, HN4B04J, TIP35C, HN4C05JU, HN4C06J, HN4C08J, HN4C51J, RN1101ACT, RN1101CT, RN1101FS, RN1101MFV