HN4B06J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN4B06J

Маркировка: 45

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SMV

 Аналоги (замена) для HN4B06J

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN4B06J даташит

 ..1. Size:493K  toshiba
 hn4b06j.pdf pdf_icon

HN4B06J

HN4B06J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4B06J Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1 High voltage VCEO = -120V High hFE hFE = 200 700 Excellent hFE linearity hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC =- 2mA) = 0.95 (typ.) Q2 High voltage VCEO = 120V High hFE hFE = 200 7

 9.1. Size:248K  toshiba
 hn4b04j.pdf pdf_icon

HN4B06J

HN4B04J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4B04J Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Switching application Q1 Excellent hFE linearity hFE(2) =25 (Min.) at VCE = -6V IC = -400mA Q2 Excellent hFE linearity hFE(2) =25 (Min.) at VCE = 6V

 9.2. Size:310K  toshiba
 hn4b01je.pdf pdf_icon

HN4B06J

HN4B01JE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4B01JE Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1 High voltage and high current VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE hFE = 120 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Q2 High voltage and

Другие транзисторы: HN3C61FU, HN3C67FE, HN4A06J, HN4A08J, HN4A51J, HN4A56JU, HN4B01JE, HN4B04J, TIP35C, HN4C05JU, HN4C06J, HN4C08J, HN4C51J, RN1101ACT, RN1101CT, RN1101FS, RN1101MFV