RN1424 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RN1424
Código: QD
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
Paquete / Cubierta: SOT346 SC59 SMINI
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RN1424
RN1424 Datasheet (PDF)
rn1421 rn1427.pdf
RN1421RN1427 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1421,RN1422,RN1423,RN1424 RN1425,RN1426,RN1427 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications High current type (IC (max) = 800mA) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and
Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .