RN1425 Todos los transistores

 

RN1425 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RN1425
   Código: QE
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 0.47 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: SOT346 SC59 SMINI
 

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RN1425 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:552K  toshiba
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RN1425

RN1421RN1427 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1421,RN1422,RN1423,RN1424 RN1425,RN1426,RN1427 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications High current type (IC (max) = 800mA) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and

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History: UN4210R

 

 
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