RN1508 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RN1508
Código: XI
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.47
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: SOT25 SC74A SMV
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RN1508
RN1508 Datasheet (PDF)
rn1501-1506.pdf
RN1501RN1506 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1501,RN1502,RN1503 RN1504,RN1505,RN1506 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in SMV (super mini type with 5 leads)With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process
rn1507-1509.pdf
RN1507RN1509 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1507,RN1508,RN1509 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in SMV (super mini type with 5 leads)With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to
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