2N1173 Todos los transistores

2N1173 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N1173

Material: Ge

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 35 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 25 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO29

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