2N1173 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N1173
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 35 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO29
     - Selección de transistores por parámetros