2N1173 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1173
Material: Ge
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 35 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO29
Otros transistores... 2N1167 , 2N1167A , 2N1168 , 2N1169 , 2N117 , 2N1170 , 2N1171 , 2N1172 , A1941 , 2N1174 , 2N1175 , 2N1175A , 2N1175B , 2N1176 , 2N1176A , 2N1176B , 2N1177 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050