RN2309 Todos los transistores

 

RN2309 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RN2309
   Código: YJ
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 2.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 15 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: SOT323 SC70 USM

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RN2309 Datasheet (PDF)

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RN2309 RN2309

RN2307~RN2309 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2307,RN2308,RN2309 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1307~RN1309 Equivalent Circuit Bias Resistor Values Type No.

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RN2309 RN2309

RN2301~RN2306 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2301,RN2302,RN2303 RN2304,RN2305,RN2306 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1301to1306 Equivalent Circuit Bias Resi

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