RN2401 Todos los transistores

 

RN2401 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RN2401
   Código: YA
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 4.7 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SOT346 SC59 SMINI
 

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RN2401 Datasheet (PDF)

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RN2401

RN2401~RN2406 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2401,RN2402,RN2403 RN2404,RN2405,RN2406 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1401~1406 Equivalent Circuit Bias Resistor

 9.1. Size:131K  toshiba
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RN2401

RN2407~RN2409 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2407,RN2408,RN2409 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1407~1409 Equivalent Circuit JEDEC TO-236MODEIAJ SC-59TO

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