RN2407 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RN2407  📄📄 

Código: YH

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SOT346 SC59 SMINI

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RN2407 datasheet

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RN2407

RN2407 RN2409 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2407,RN2408,RN2409 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1407 1409 Equivalent Circuit JEDEC TO-236MOD EIAJ SC-59 TO

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RN2407

RN2401 RN2406 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2401,RN2402,RN2403 RN2404,RN2405,RN2406 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1401 1406 Equivalent Circuit Bias Resistor

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