RN2507 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RN2507  📄📄 

Código: YH

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SOT25 SC74A SMV

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RN2507 datasheet

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RN2507

RN2507 RN2509 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2507,RN2508,RN2509 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit in mm And Driver Circuit Applications Including two devices in SMV (super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to

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RN2507

RN2501 RN2506 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2501,RN2502,RN2503 RN2504,RN2505,RN2506 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in SMV (super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process

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