RN2510 Todos los transistores

 

RN2510 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RN2510
   Código: YK
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SOT25 SC74A SMV
 

 Búsqueda de reemplazo de RN2510

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RN2510 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:112K  toshiba
 rn2510-rn2511.pdf pdf_icon

RN2510

RN2510,RN2511 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2510,RN2511 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including twodevices in SMV (super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1510, RN

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 4SDG110 | BF342

 

 
Back to Top

 


 
.