2SA1986 Todos los transistores

 

2SA1986 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA1986
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 230 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 230 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 360 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SA1986 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  toshiba
2sa1986.pdf pdf_icon

2SA1986

 ..2. Size:207K  jmnic
2sa1986.pdf pdf_icon

2SA1986

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1986 DESCRIPTION With TO-3P(I) package Complement to type 2SC5358 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 80W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3P(I)) and symbol

 ..3. Size:220K  inchange semiconductor
2sa1986.pdf pdf_icon

2SA1986

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1986DESCRIPTIONHigh Current CapabilityHigh Power DissipationHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -230V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SC5358Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 80W high fidelity audio frequencyamp

 8.1. Size:173K  toshiba
2sa1987.pdf pdf_icon

2SA1986

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.